BaO/BaTiO$_3$和SrO/SrTiO$_3$界面带偏移的第一性原理计算

Javier Junquera; Magali Zimmer; Pablo Ordejon; Philippe Ghosez

doi:10.1103/PhysRevB.67.155327

BaO/BaTiO$_3$和SrO/SrTiO$_3$界面带偏移的第一性原理计算

材料科学 2009-11-07 v1

作者: Javier Junquera , Magali Zimmer , Pablo Ordejon , Philippe Ghosez

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摘要

我们报告了关于BaO/BaTiO $_3$ 和SrO/SrTiO $_3$ 纳米异构结的原子结构、电子性质和带偏移的第一性原理密度泛函势能计算，这些异构结生长在硅基底上。能级在界面处未显示出任何电子诱导的界面态。在界面层找到了主导的配重结构。研究了受基底施加的应变条件对带偏移可调性的影响。利用先前报告的可用于Si/SrO、Si/BaO和BaTiO $_{3}$ /SrRuO $_{3}$ 界面处的理论数据，我们推导出Si/SrO/SrTiO $_3$ 和Si/BaO/BaTiO $_3$ /SrRuO $_{3}$ 异构结构沿整个技术上感兴趣的门栅堆栈的带对齐值。

关键词

第一性原理计算带偏移 BaO/BaTiO$_3$界面 SrO/SrTiO$_3$界面密度泛函势能

引用

@article{arxiv.cond-mat/0210666,
  title  = {First-principles calculation of the band offset at BaO/BaTiO$_3$ and SrO/SrTiO$_3$ interfaces},
  author = {Javier Junquera and Magali Zimmer and Pablo Ordejon and Philippe Ghosez},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210666},
  year   = {2009}
}

备注

12 pages, 6 figures, submitted to Phys. Rev. B

BaO/BaTiO$_3$和SrO/SrTiO$_3$界面带偏移的第一性原理计算

摘要

关键词

引用

备注

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