大能带偏移作为二维电子受限的驱动力：SrTiO$_3$/SrZrO$_3$界面案例
介观与纳米尺度物理
2013-09-20 v1 材料科学
摘要
利用先进的第一性原理计算，我们预测非极性 SrTiO/SrZrO (001) 界面（设计为沉积在 SrTiO上的薄 SrZrO薄膜或短周期 (SrTiO)/(SrZrO)超晶格）可容纳二维受限电子气。由本征杂质、场效应或调制掺杂产生的移动电子电荷被紧密束缚在界面处。实现这一现象的关键要素包括：a) 3d 轨道的特殊化学性质，b) 钛酸盐 - 锆酸盐界面处的大能带偏移。
引用
@article{arxiv.1309.4965,
title = {Large band offset as driving force of 2-dimensional electron confinement: the case of SrTiO$_3$/SrZrO$_3$ interface},
author = {P. Delugas and A. Filippetti and A. Gadaleta and I. Pallecchi D. Marré and V. Fiorentini},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.4965},
year = {2013}
}
备注
7 pages, 5 figures