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(111) LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ 界面上由电子关联驱动的能带反转

强关联电子 2019-05-15 v2 材料科学 超导电性

摘要

复杂氧化物界面处的量子限域建立了强关联 dd 轨道的复杂层级结构,这被广泛认为是涌现物理的起源。最显著的例子是 (001) LaAlO3_3/SrTiO3_3(LAO/STO) 界面,其具有随静电掺杂变化的超导临界温度与自旋轨道耦合 (SOC) 的穹顶形相图,源于不同特征的 t2gt_{2g} 轨道的选择性占据。本文研究 (111) 取向的 LAO/STO 界面——其中三个 t2gt_{2g} 轨道对等因限域产生的子带态有同等贡献——并探讨这一独特特征对电子输运的影响。我们表明输运通过两组类电子子带进行,其中一组的载流子密度随样品电导呈非单调依赖关系。利用紧束缚模型,我们证明该行为源于由在位库仑相互作用驱动的能带反转。所有 t2gt_{2g} 轨道对电子输运的均衡贡献被证明导致强 SOC 且静电调制减弱。

关键词

引用

@article{arxiv.1808.03063,
  title  = {Band inversion driven by electronic correlations at the (111) LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ interface},
  author = {A. M. R. V. L. Monteiro and M. Vivek and D. J. Groenendijk and P. Bruneel and I. Leermakers and U. Zeitler and M. Gabay and A. D. Caviglia},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1808.03063},
  year   = {2019}
}

备注

5 pages, 4 figures, (+ supplemental material)