二维氧化物界面中的自旋 - 轨道耦合机制
强关联电子
2018-02-28 v1
摘要
自旋 - 轨道耦合的存在驱动了氧化物界面的反常磁输运，并构成了这些二维电子系统众多迷人特性的基础，例如拓扑保护相或反局域化。对于许多此类系统，多带效应使得底层耦合机制的识别变得模糊。因此，我们分析了高压下 LaAlO/SrTiO 界面的输运，这是一种分离多带贡献的技术。我们认为观测到的磁电阻源于量子干涉，而与库仑相互作用无关。因此，该系统是产生人们长期寻求的辛对称二维普适类的金属 - 绝缘体转变的绝佳候选者。研究表明，自旋 - 轨道耦合可以明确地联系到具有立方（类 Dresselhaus）而非线性（类 Rashba）自旋 - 轨道能带分裂的能带结构。
引用
@article{arxiv.1609.07425,
title = {The mechanism of spin-orbit coupling in a 2D oxide interface},
author = {Patrick Seiler and Jone Zabaleta and Robin Wanke and Jochen Mannhart and Thilo Kopp and Daniel Braak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.07425},
year = {2018}
}