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带隙绝缘氧化物界面的电子重构:LaAlO3/SrTiO3 系统

材料科学 2014-09-11 v1

摘要

在 LaAlO3 和 SrTiO3 带隙绝缘体界面形成的导电准二维电子系统(q2DES)给凝聚态物理社区带来了新的范式。虽然 q2DES 的形成机制仍存在争议,但新发现的导电界面为在电子学、自旋电子学和光电子学中的潜在应用铺平了道路。本章概述了关于 LAO/STO 系统的研究,展示了过去十年中为阐明氧化物界面 q2DES 形成机制及其与半导体二维电子气相比的独特电子性质而获得的一些最重要结果。

关键词

引用

@article{arxiv.1409.3098,
  title  = {Electronic reconstruction at the interface between band insulating oxides: the LaAlO3/SrTiO3 system},
  author = {M. Salluzzo},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1409.3098},
  year   = {2014}
}

备注

To appear as chapter in the Book: "Oxide Thin Films, Multilayers and Nanocomposites" Co-Editors: Dr. Mele, Dr. Arisawa, Prof. Li, Dr. Tsuchiya, Prof. Endo; Publisher Springer International Publishing AG; Publishing date expected in spring 2015