掺杂 SrTiO$_{3}$薄膜与界面中的双带超导性
超导电性
2013-05-23 v2 材料科学
摘要
我们利用二维双带模型研究了 SrTiO薄膜和界面中多带超导性的可能性。在未掺杂化合物中,其中一个能带被占据而另一个为空。随着通过负电荷载流子掺杂或施加电场导致化学势移动,第二个能带被占据,从而引起转变温度的显著增强以及能隙函数中的尖锐特征,这些特征体现在局域态密度谱中。通过将我们的结果与 Nb 掺杂 SrTiO中的隧穿实验进行比较,我们发现带内配对优于带间配对,这与其它已知的多带超导体不同。鉴于转变温度值以及 LaAlO/SrTiO异质结构的能带结构具有相似性,我们推测在 SrTiO界面观察到的超导性可能与体 SrTiO的超导性本质相似,涉及具有不同电子占据数的多个能带。
引用
@article{arxiv.1208.3134,
title = {Two-band superconductivity in doped SrTiO$_{3}$ films and interfaces},
author = {R. M. Fernandes and J. T. Haraldsen and P. Wölfle and A. V. Balatsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.3134},
year = {2013}
}
备注
revised expanded version