多带输运对LaAlO$_3$/SrTiO$_3$界面载流子密度涨落的影响
介观与纳米尺度物理
2018-08-02 v1
摘要
超导体中的多带输运从学术和应用角度都很有趣。已有假设认为带间散射会显著影响这些材料中的载流子动力学。在本文中，我们详细研究了典型多带超导体LaAlO/SrTiO界面处高迁移率二维电子气的电输运性质。我们通过仔细测量超低温下磁电阻和电阻涨落的栅压依赖性表明，该系统超导区中的输运来自两个承载特性迥异载流子的能带。我们确定了系统中的栅压可调Lifshitz转变，并表明电阻涨落在其两侧具有显著不同的特征。在低载流子密度下，电阻噪声由源于底层SrTiO衬底中缺陷对载流子的俘获-去俘获引起的数密度涨落主导，这是单带半导体的特征。在Lifshitz转变之上，噪声可能源于带间散射。我们的工作凸显了带间散射过程对决定低维系统输运性质的重要性，并将电阻涨落谱作为探测Lifshitz转变穿越载流子动力学的可行技术。
引用
@article{arxiv.1808.00246,
title = {Effect of multiband transport on charge carrier density fluctuations at the LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ interface},
author = {Gopi Nath Daptary and Pramod Kumar and Anjana Dogra and Aveek Bid},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.00246},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 5 figures