LaAlO3/SrTiO3 界面二维电子气中的载流子数涨落
强关联电子
2013-12-10 v1 材料科学
摘要
已对 LaAlO3/SrTiO3 界面形成的二维电子气的电压谱密度 SV(f) 进行了彻底研究。低频分量具有清晰的 1/f 行为，并表现出对偏置电流的二次依赖关系，这归因于电阻涨落。然而，其温度依赖性与基于载流子迁移率涨落的经典 Hooge 模型不一致。相反，实验结果是用载流子数涨落来解释的，这是由于二维电子气的激发 - 俘获机制所致。
引用
@article{arxiv.1312.2181,
title = {Carrier-number fluctuations in the 2-dimensional electron gas at the LaAlO3/SrTiO3 interface},
author = {C. Barone and F. Romeo and S. Pagano and E. Di Gennaro and F. Miletto Granozio and I. Pallecchi and D. Marre and U. Scotti di Uccio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.2181},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 4 figures