生长诱导的 LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ 界面电子迁移率增强
材料科学
2015-03-20 v1
摘要
我们研究了一系列在不同生长温度下制备的样品中 LaAlO/SrTiO 界面处二维电子液的电子性质。我们观察到，在 650{\deg}C 下制造的界面表现出最高的低温迁移率（）和最低的片载流子密度（）。这些样品显示出金属行为和磁阻中的 Shubnikov-de Haas 振荡。在较高温度（800-900{\deg}C）下生长的样品显示出 范围内的载流子密度，以及在 4K 下 的迁移率。通过场效应将其载流子密度降低至 会将其迁移率降低至 ，从而使电导进入弱局域化机制。
引用
@article{arxiv.1503.05906,
title = {Growth-induced electron mobility enhancement at the LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ interface},
author = {A. Fête and C. Cancellieri and D. Li and D. Stornaiuolo and A. D. Caviglia and S. Gariglio and J. -M. Triscone},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.05906},
year = {2015}
}