LaAlO$_{3}$/SrTiO$_{3}$异质界面的势垒降低与电输运
材料科学
2008-09-08 v1 强关联电子
摘要
通过结合LaAlO/SrTiO异质界面的垂直输运测量（跨界面）和横向输运测量（沿界面），我们证明了显著的势垒降低和能带弯曲是界面金属性的原因。势垒降低和增强的能带弯曲延伸至LaAlO和SrTiO中超过2.5 nm。我们解释了在SrTiO衬底上具有最薄LaAlO薄膜的样品中高温载流子饱和、较低载流子浓度和较高迁移率的起源。横向输运结果表明，寄生界面散射中心限制了金属沟道的低温横向电子迁移率。
引用
@article{arxiv.0809.0926,
title = {Potential barrier lowering and electrical transport at the LaAlO$_{3}$/SrTiO$_{3}$ heterointerface},
author = {Franklin J. Wong and Miaofang Chi and Rajesh V. Chopdekar and Brittany B. Nelson-Cheeseman and Nigel D. Browning and Yuri Suzuki},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.0926},
year = {2008}
}
备注
10 pages, 3 figures, and 1 table