LaAlO₃/SrTiO₃ 界面亚微米沟道中的电子输运
介观与纳米尺度物理
2021-02-24 v1 材料科学
摘要
在 LaAlO₃ 与 SrTiO₃ 之间的导电界面上实现的纳米尺度沟道，为探索维度对复杂氧化物电子性质的影响提供了绝佳平台。在此，我们比较了采用 AFM 直写技术与常规光刻技术所制备器件的电输运性质。我们发现导电通路的横向尺寸对其低温输运行为有强烈影响。对于宽度小于 100 nm 的沟道，我们观察到在约 50 K 处发生从金属态到绝缘态的跨接。该绝缘化上翘可通过施加正背栅抑制。我们将光刻图形化沟道中的纳米尺度收缩行为与模型计算结果进行比较，并得出结论：实验观测与量子点接触的物理机制相符。
引用
@article{arxiv.2009.07867,
title = {Electronic transport in sub-micrometric channels at the LaAlO$_{3}$/SrTiO$_{3}$ interface},
author = {Margherita Boselli and Gernot Scheerer and Michele Filippone and Weiwei Luo and Adrien Waelchli and Alexey B. Kuzmenko and Stefano Gariglio and Thierry Giamarchi and Jean-Marc Triscone},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.07867},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 6 figures