利用超低电压电子束光刻对 LaAlO3/SrTiO3 金属-绝缘体转变进行纳米尺度调控
介观与纳米尺度物理
2026-03-03 v1
摘要
我们描述了一种利用超低电压电子束光刻（ULV-EBL）调控 LaAlO3/SrTiO3 界面绝缘体-金属转变的方法。与以往利用导电原子力显微镜光刻（c-AFM）的报道相比，该方法可在高达 c-AFM 10000 倍的写入速度（10 mm/s）下提供相当的分辨率（约 10 nm）。该写入技术是非破坏性的，且导电态可通过长时间暴露于空气中实现可逆。在毫开尔文温度下对代表性器件的输运性质进行了测量，观察到超导行为。我们还展示了在石墨烯/LaAlO3/SrTiO3 异质结构上制备导电器件的能力。其潜在机制被认为与调控基于 c-AFM 方法的机制密切相关。
引用
@article{arxiv.2008.12906,
title = {Nanoscale control of LaAlO3/SrTiO3 metal-insulator transition using ultra-low-voltage electron-beam lithography},
author = {Dengyu Yang and Shan Hao and Jun Chen and Qing Guo and Muqing Yu and Yang Hu and KiTae Eom and Jung-Woo Lee and Chang-Beom Eom and Patrick Irvin and Jeremy Levy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.12906},
year = {2026}
}
备注
4 figures