栅压对 $AlO_x$/$SrTiO_3$ 界面电学性质的控制
材料科学
2016-09-21 v1
摘要
在 表面通过电子束沉积绝缘颗粒铝或非化学计量比的非晶氧化铝层，是从绝缘材料获得金属界面的一种简单方法。无需对 表面进行加热或特殊制备。本文研究如何通过施加背栅压（穿过 衬底的电场）来调控该界面的电学性质。我们证明，在室温下观察到的慢场效应可用于可逆且可控地调控该界面的低温电学性质。特别是，诸如电阻对栅压变化的响应幅度，或在零栅压和低温下是否存在“开”或“关”态等晶体管的重要参数，均可在单一样品中进行调节。该方法应适用于任何涉及氧空位的 基界面，并可能为研究此类系统中观察到的金属或超导体-绝缘体相变提供一种强有力的手段。
关键词
引用
@article{arxiv.1609.03718,
title = {Gate voltage control of the $AlO_x$/$SrTiO_3$ interface electrical properties},
author = {Julien Delahaye and Thierry Grenet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.03718},
year = {2016}
}
备注
16 pages