SrTiO$_3$静电载流子掺杂诱导的低温金属态

H. Nakamura; I. H. Inoue; Y. Takahashi; T. Hasegawa; Y. Tokura; H. Takagi

doi:10.1063/1.2357850

SrTiO$_3$静电载流子掺杂诱导的低温金属态

强关联电子 2009-11-11 v1

作者: H. Nakamura , I. H. Inoue , Y. Takahashi , T. Hasegawa , Y. Tokura , H. Takagi

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摘要

我们研究了具有聚对二甲苯有机栅极绝缘体的SrTiO $_3$ 沟道场效应晶体管的输运性质。通过施加栅极电压，在低温下薄层电阻降至 $R_{\Box}$ $\sim$ 10 k $\Omega$ 以下，载流子迁移率超过1000 cm $^2$ /Vs。在恒定栅极电压下测量的薄层电阻的温度依赖性表现出金属行为（ $dR$ / $dT$ $>$ 0）。我们的结果证明了SrTiO $_3$ 中由静电载流子密度控制驱动的绝缘体-金属转变。

关键词

SrTiO3 场效应晶体管静电掺杂绝缘体-金属转变二维电子气输运性质

引用

@article{arxiv.cond-mat/0608243,
  title  = {Low temperature metallic state induced by electrostatic carrier doping of SrTiO$_3$},
  author = {H. Nakamura and I. H. Inoue and Y. Takahashi and T. Hasegawa and Y. Tokura and H. Takagi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608243},
  year   = {2009}
}

备注

3 pages, 4 figures

SrTiO$_3$静电载流子掺杂诱导的低温金属态

摘要

关键词

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