氧缺陷SrTiO3薄膜中载流子冻结诱导的金属-绝缘体转变
材料科学
2013-07-17 v2
摘要
我们报道了通过脉冲激光沉积并在真空室中还原制备的高质量氧缺陷SrTiO3 (STO)单晶薄膜的光学、电输运和磁输运性质。预期薄膜中的氧空位分布是均匀的。通过与氧缺陷块体STO的电学性质进行比较，发现块体STO中的氧空位在整个材料中远非均匀。在氧缺陷STO薄膜中观察到的金属-绝缘体转变(MIT)被发现是由载流子冻结效应诱导的。低温冻结态可以通过电场、焦耳热以及令人惊讶地通过大磁场重新激发。
引用
@article{arxiv.1102.5595,
title = {Carrier freeze-out induced metal-insulator transition in oxygen deficient SrTiO3 films},
author = {Z. Q. Liu and D. P. Leusink and X. Wang and W. M. Lü and K. Gopinadhan and A. Annadi and Y. L. Zhao and X. H. Huang and S. W. Zeng and Z. Huang and A. Srivastava and S. Dhar and T. Venkatesan and Ariando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.5595},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 5 figures