锡掺杂氧化铟（ITO）薄膜中的金属-绝缘体转变与电导率量子修正
材料科学
2016-10-28 v1
摘要
锡掺杂氧化铟（ITO）薄膜作为透明导体在多种应用中被广泛使用。在本通讯中，我们报道了直流磁控溅射 ITO 薄膜在低温（25-300 K）下的电输运性质。低温霍尔效应与电阻率测量表明，ITO 薄膜具有中等无序度（kfl~1）并为简并半导体。在这些无序 ITO 薄膜中，电荷载流子的输运通过离域态进行。无序效应导致了著名的金属-绝缘体转变；该转变在 ITO 薄膜中于 110 K 观察到。金属-绝缘体行为由电导率的量子修正（QCC）解释；该方法基于无序系统中的量子力学干涉效应。绝缘行为归因于弱局域化与电子-电子相互作用的共同效应。
引用
@article{arxiv.1610.08799,
title = {Metal Insulator transition in tin doped indium oxide (ITO) thin films Quantum Correction to the electrical Conductivity},
author = {Deepak Kumar Kaushik and K Uday Kumar and A. Subrahmanyam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.08799},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 5 figures