硫掺杂硅中的绝缘体-金属转变
材料科学
2015-05-27 v1
摘要
我们使用离子注入随后进行脉冲激光熔融和快速再固化的方法，在掺杂至非平衡浓度的硫结晶硅中观察到了绝缘体-金属 (I-M) 转变。这种 I-M 转变归因于一种在平衡浓度下仅产生深能级的掺杂剂。温度 T > 1.7 K 时的温度依赖电导率和霍尔效应测量均表明，绝缘体到金属导体的转变发生在硫浓度为 1.8 至 4.3 x 10^20 cm-3 之间。绝缘样品的导电行为与具有库仑能隙的跳跃导电机制一致。深能态通过退局域化实现金属导电的能力，是目前已知实现硅体中间带光伏的唯一途径。
引用
@article{arxiv.1103.0609,
title = {Insulator-to-metal transition in sulfur-doped silicon},
author = {Mark T. Winkler and Daniel Recht and Meng-Ju Sher and Aurore J. Said and Eric Mazur and Michael J. Aziz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.0609},
year = {2015}
}
备注
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