硒超掺杂硅中的绝缘体-金属转变：观察与起源
材料科学
2015-06-03 v1
摘要
超掺杂已成为设计具有独特光学和电子性质的半导体的一种极具前景的方法，尽管目前对这些性质还缺乏清晰的微观解释。结合计算与实验证据，我们探究了 Se 超掺杂 Si 中子带隙光吸收和金属性的起源。我们表明，子带隙吸收源于从缺陷到导带的直接跃迁，而非自由载流子吸收。密度泛函理论预测，Se 诱导的绝缘体-金属转变源于缺陷带与导带的合并，其对应浓度与实验高度吻合。量子蒙特卡洛计算证实了该临界浓度，表明关联效应对于准确描述该转变至关重要，并指出这是一个经典的杂质驱动 Mott 转变。
引用
@article{arxiv.1111.5263,
title = {Insulator-to-Metal Transition in Selenium-Hyperdoped Silicon: Observation and Origin},
author = {Elif Ertekin and Mark T. Winkler and Daniel Recht and Aurore J. Said and Michael J. Aziz and Tonio Buonassisi and Jeffrey C. Grossman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.5263},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures (PRL formatted)