通过同时电子与空穴掺杂t2g亚带实现的La_{1-x}Sr_xTiO_3掺杂驱动的Mott相变
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
在有限温度下，通过多带精确对角化动力学均值场理论研究了由Sr掺杂LaTiO_3诱导的绝缘体到金属相变。结果表明，弱空穴掺杂引起较大的跨轨道电荷转移，同时对t2g亚带进行电子与空穴掺杂。该相变为一级相变，并表现为绝缘体与金属体之间的相分离。在金属相中，亚带压缩系数非常大且符号相反。电子掺杂导致跨轨道电荷流的方向与空穴掺杂相同。这些结果可理解为强轨道去极化的结果。
引用
@article{arxiv.0707.1826,
title = {Doping-driven Mott transition in La_{1-x}Sr_xTiO_3 via simultaneous electron and hole doping of t2g subbands},
author = {A. Liebsch},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.1826},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures