通过静电掺杂探测 NdNiO3 的绝缘体 - 金属转变
材料科学
2011-11-11 v1 强关联电子
摘要
本文提出通过从高掺杂的传统能带绝缘体进行远程掺杂来调节莫特材料中的载流子密度，以此检验关于莫特绝缘体 - 金属转变的能带填充控制理论预测，同时避免化学掺杂所引入的晶格畸变或无序。该方案通过在镧掺杂的 SrTiO3 薄膜上外延生长超薄（2.5 nm）NdNiO3 薄膜进行了实验验证。结果表明，远程掺杂系统地改变了 NdNiO3 薄膜中的载流子密度，并导致绝缘体 - 金属转变温度发生适度偏移。这些结果在展示绝缘体 - 金属转变的此类材料理论模型的背景下进行了讨论。
引用
@article{arxiv.1110.4134,
title = {Probing the metal-insulator transition of NdNiO3 by electrostatic doping},
author = {Junwoo Son and Bharat Jalan and Adam P. Kajdos and Leon Balents and S. James Allen and Susanne Stemmer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.4134},
year = {2011}
}
备注
The article has been accepted by Applied Physics Letters. After it is published, it will be found at http://apl.aip.org/