基于 NdNiO3 中电子诱导 Mott 转变的场效应二极管
介观与纳米尺度物理
2012-10-11 v1 强关联电子
摘要
我们研究了基于氧化物 NdNiO3 的双端器件中的电子诱导金属 - 绝缘体转变。在该器件中，NdNiO3 通过施加在端子间的电压进行静电掺杂，导致电导率相对于偏压极性呈现不对称性。这种不对称性具有温度依赖性，且在金属 - 绝缘体转变附近最为显著。I-V 特性表现出对热历史和施加电压偏压历史的强烈依赖。我们的双端器件代表了一条研究电子掺杂对金属 - 绝缘体转变影响的简单而有效的途径。
引用
@article{arxiv.1210.2763,
title = {Field-effect diode based on electron-induced Mott transition in NdNiO3},
author = {W. L. Lim and E. J. Moon and J. W. Freeland and D. J. Meyers and M. Kareev and J. Chakhalian and S. Urazhdin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.2763},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 5 Figures