Ga2O3 调制掺杂场效应晶体管的设计
应用物理
2021-05-11 v1 材料科学
摘要
讨论了基于 β-Ga2O3 的调制掺杂场效应晶体管（MODFET）的设计，重点在于自热作用及其对电子迁移率分布的修正。给出了电子迁移率随温度和掺杂变化的模型，以及 β-Ga2O3 热导率随温度和取向变化的近似。漏极电流的下降归因于由耦合自热机制和高电场迁移率降低机制引起的位置相关迁移率下降。提出了一种简单的热管理方案，即通过源极接触金属抽取热量。此外，研究表明在调制掺杂层处可形成不期望的二次沟道，其特征是跨导曲线中的拐点。
引用
@article{arxiv.2105.03758,
title = {Design of Ga2O3 Modulation Doped Field Effect Transistors},
author = {Michael Mastro and Marko J. Tadjer and Jihyun Kim and Fan Ren and Stephen J. Pearton},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.03758},
year = {2021}
}
备注
23 pages