基于 AlN/β-Ga2O3 的 HEMT：通往终极高功率器件的潜在途径
应用物理
2019-01-17 v1
摘要
氧化镓（Ga2O3）因其高击穿场和良好的输运特性在功率器件方面具有巨大潜力。β-Ga2O3 作为热力学稳定相，已通过其非极性特性在势垒中进行 δ 掺杂被证明可形成高电子迁移率晶体管（HEMT）。继 III-V HEMT 从 δ 掺杂诱导转变为极化诱导 2DEG 的发展之后，提出了一种基于 III-N 材料/β-Ga2O3 异质结构的替代方法，利用界面上的极化差异。对电场和导带差值的进一步要求表明，仅有氮（N）极性 AlN 生长在 β-Ga2O3 上才能形成沟道并在界面处保持大的 2DEG 浓度。与传统的金属极性 AlN/GaN HEMT 相比，所提出的 N 极性 AlN/β-Ga2O3 HEMT 显示出更大的 2DEG 浓度、由自发极化主导的电场、更好的直流输出性能以及更高的击穿电压。本研究提供了一种从 β-Ga2O3 基 HEMT 的 δ 掺杂诱导转向极化诱导的新研究途径，也可作为业界挖掘 Ga2O3 应用潜力的指导。
引用
@article{arxiv.1901.05111,
title = {AlN/beta-Ga2O3 based HEMT: a potential pathway to ultimate high power device},
author = {Yi Lu and Hsin-Hung Yao and Jingtao Li and Jianchang Yan and Junxi Wang and Jinmin Li and Xiaohang Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.05111},
year = {2019}
}
备注
20 pages, 6 figures