大功率 AlGaN/GaN HEMT 的温度分析
材料科学
2007-09-13 v1
摘要
氮化镓已成为空间、国防和民用应用中的战略优势材料，主要用于射频和毫米波频率的功率放大。对于 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT），采用系统级封装（SIP）方法可以获得优异的性能，同时兼具低成本和高灵活性。由于热管理对这些大功率应用至关重要，本文提出将 HEMT 通过倒装芯片方式集成到 AlN 衬底上。在本研究中，我们结合微拉曼光谱和直流电学分析的实验结果，利用热仿真研究了集成到 AlN 上的 AlGaN/GaN HEMT 的温度性能。
引用
@article{arxiv.0709.1868,
title = {A Temperature Analysis of High-power AlGaN/GaN HEMTs},
author = {J. Das and H. Oprins and H. Ji and A. Sarua and W. Ruythooren and J. Derluyn and M. Kuball and M. Germain and G. Borghs},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1868},
year = {2007}
}
备注
Submitted on behalf of TIMA Editions (http://irevues.inist.fr/tima-editions)