AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管中的表面态：表面态电荷密度的定量分布与表面费米能级的动力学
应用物理
2019-08-05 v2
摘要
我们提出了一种方法，用于获取高电子迁移率晶体管（HEMT）器件中表面态电荷密度的定量分布，并监测其在各种应力条件下的动力学行为。该方法采用在不同偏置条件下对沟道电流进行光学光谱分析。我们在一个经典的 AlGaN/GaN HEMT 结构上测试了该方法。为分析结果，我们提出了一个模型，根据该模型，表面电荷密度的能量分布可由沟道光电流的导数获得。所提出的方法适用于完全制备的晶体管，并可在任意器件偏置组合下测量。由此，可以探究器件工作条件对表面态电荷的影响。这一特性在氮化物 HEMT 中各种表面电荷迁移效应的研究中应尤为有用。该方法的一个重要副产品是对表面费米能级能量位置及其在各种偏置条件下动力学的定量评估。
引用
@article{arxiv.1904.08683,
title = {Surface states in AlGaN/GaN high electron mobility transistors: Quantitative profiles and dynamics of the surface Fermi level},
author = {Yury Turkulets and Ilan Shalish},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.08683},
year = {2019}
}
备注
Added ArXiv number and link