基于二维泊松方程的 AlN/β-Ga₂O₃ HEMT 的 I-V 特性解析建模
应用物理
2021-08-29 v1 材料科学
摘要
本文提出了基于物理的解析模型，利用二维(2D)泊松方程描述 AlN/β-Ga₂O₃ 高电子迁移率晶体管(HEMT)中的表面势、沟道势、电场和漏极电流。不同物理量的解析表达式是基于 AlN 势垒层的完全耗尽近似以及极化电荷诱导的统一二维电子气(2DEG)电荷密度模型得到的。为验证所建立模型，将结果与二维数值仿真结果进行了对比，发现二者具有良好的一致性。漏极电流模型还通过与同尺寸器件的实验结果进行了验证。所建立的模型可作为不同基于 β-Ga₂O₃ 的 HEMT 的良好参考。
引用
@article{arxiv.2108.04797,
title = {Analytical Modeling of $I-V$ characteristics using 2D Poisson Equations in AlN/$\beta$-Ga$_2$O$_3$ HEMT},
author = {R. Singh and T. R. Lenka and D. K. Panda and H. P. T. Nguyen and N. El. I. Boukortt and G. Crupi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.04797},
year = {2021}
}
备注
11 pages, 5 figures