用于电流噪声测量的低温 GaAs 高电子迁移率晶体管放大器
介观与纳米尺度物理
2021-02-25 v1
摘要
我们展示了一种由自制 GaAs 高电子迁移率晶体管（HEMT）组成的低温放大器，适用于稀释制冷机温度下介观器件中的电流噪声测量。我们自制 HEMT 更低的噪声特性使得实验装置具有更低的噪声基底，并能够实现比商用 HEMT 更高效的电流噪声测量。我们给出了该 HEMT 的直流输运特性以及放大器的增益与噪声特性。将该放大器用于量子点接触中的电流噪声测量，我们通过与使用商用 HEMT 的传统装置对比，展示了测量装置的高分辨率。
引用
@article{arxiv.2102.11999,
title = {Cryogenic GaAs high-electron-mobility-transistor amplifier for current noise measurements},
author = {Sanghyun Lee and Masayuki Hashisaka and Takafumi Akiho and Kensuke Kobayashi and Koji Muraki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.11999},
year = {2021}
}
备注
10 pages, 13 figures