用于单电子隧穿快速实时检测的低温放大器
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v2
摘要
我们采用低温高电子迁移率晶体管 (HEMT) 放大器来提高基于量子点接触 (QPC) 电荷传感器的电荷检测装置的带宽。HEMT 工作在 1 K，电路带宽为 1 MHz。HEMT 在高频处的噪声贡献仅为 QPC 散粒噪声的数倍。我们利用该装置监测相邻量子点中的单电子隧穿，并测量点占据的涨落，时间短至 400 纳秒，比先前工作快 20 倍。
引用
@article{arxiv.0708.0461,
title = {A cryogenic amplifier for fast real-time detection of single-electron tunneling},
author = {I. T. Vink and T. Nooitgedagt and R. N. Schouten and W. Wegscheider and L. M. K. Vandersypen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.0461},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures