用于硅单电子晶体管快速电流测量的低温仪器
介观与纳米尺度物理
2010-06-03 v3 材料科学
摘要
我们提出了一种在低温下和用于稀释制冷机运行的高带宽仪器的实现方案，该方案优于使用射频单电子晶体管或跨阻放大器的方法。通过使用磷掺杂的单电子晶体管，研究了低温电子器件比室温电子器件进行更快测量的能力。成功实现了一种单次测量技术，并用于观察量子态的实时衰变。讨论了各种测量策略，并分析了电子加热和噪声的影响。
引用
@article{arxiv.0904.3193,
title = {Cryogenic instrumentation for fast current measurement in a silicon single electron transistor},
author = {T. Ferrus and D. G. Hasko and Q. R. Morrissey and S. R. Burge and E. J. Freeman and M. J. French and A. Lam and L. Creswell and R. J. Collier and D. A. Williams and G. A. D. Briggs},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.3193},
year = {2010}
}
备注
18 pages, 6 figures, published in J. Appl. Phys