硅单电子晶体管的单次测量
强关联电子
2008-11-21 v2 其他凝聚态物理
摘要
我们制造了一个定制的低温互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路，与传统的室温电子学相比，它具有更高的测量带宽。这使得我们能够实现单次操作，并观察受到微波脉冲照射的磷掺杂硅单电子晶体管电流的实时演化。观测到长达90微秒的弛豫时间，表明器件内存在良好隔离的电子激发。预计这些激发与长相干时间相关，该器件可能适用于量子信息处理。
引用
@article{arxiv.0811.0736,
title = {Single shot measurement of a silicon single electron transistor},
author = {D. G. Hasko and T. Ferrus and Q. R. Morrissey and S. R. Burge and E. J. Freeman and M. J. French and A. Lam and L. Creswell and R. J. Collier and D. A. Williams and G. A. D. Briggs},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.0736},
year = {2008}
}