CMOS 单片有源像素传感器的辐射耐受性进展
仪器与探测器
2020-01-29 v2 高能物理 - 实验
摘要
CMOS 单片有源像素传感器（CPS）是超轻且高粒度的硅像素探测器，适用于高灵敏度带电粒子径迹探测。采用高性价比的标准 CMOS 工艺制造，CPS 可将传感元件与模拟及数字数据处理电路集成于单一单片芯片中。这造就了 50~\rm \mu m 厚的传感器，其提供为数 \rm \mu m 的典型优异空间分辨率，以及对最小电离粒子的高于 99.9% 的探测效率。CPS 的辐射耐受性起初受限于其生产所用 CMOS 工艺的极限，但在过去数年中已得到数量级的提升。本工作评述了关于传统 CPS（具有由斯特拉斯堡 IPHC 开创的 MIMOSA 系列所引领的部分耗尽有源介质）辐射耐受性的相关研发。讨论了评估这些非标准像素中辐射损伤的流程，并介绍了辐射损伤的主要机制。给出了辐射加固的技术。此外，总结了基于改进 CMOS 工艺、具备全耗尽传感器的下一代 CPS 近期结果。
引用
@article{arxiv.1909.05715,
title = {Progress on the radiation tolerance of CMOS Monolithic Active Pixel Sensors},
author = {M. Deveaux},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.05715},
year = {2020}
}
备注
Review paper, 88 Pages