使用 CMOS 有源像素传感器进行带电粒子探测
核实验
2011-07-19 v1
摘要
有源像素传感器（APS）技术已显示出应用于下一代顶点探测器的潜力。本文讨论了两代 APS 芯片的设计与测试。两者均为 128×128 像素阵列，每个像素尺寸为 20×20 微米。每个阵列被划分为多个子阵列，其中采用了不同的传感器结构（第一版 4 种，第二版 16 种）和/或读出电路。报告了其中几种结构在 Fe55 辐照下的测量结果。传感器还接受了 55 MeV 质子的辐照以测试辐射损伤。辐射增加了噪声并降低了信号。噪声可由增加的漏电流引起的散粒噪声解释，而信号的降低则归因于电荷被俘获在外延层中。尽管如此，对于 RHIC 和 RHIC II 的预期辐照量，辐射效应很小。最后，我们描述了在实际探测器中机械支撑薄硅晶片的概念。
引用
@article{arxiv.nucl-ex/0212019,
title = {Charged Particle Detection using a CMOS Active Pixel Sensor},
author = {H. S. Matis and F. Bieser and S. Kleinfelder and G. Rai and F. Retiere and H. G. Ritter and K. Singh and S. E. Wurzel and H. Wieman and E. Yamamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:nucl-ex/0212019},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 7 figures. Presented at the 2002 IEEE NSS meeting. Submitted to the IEEE NSS Transactions Journal