新型硅n-in-p平面像素传感器的性能
仪器与探测器
2012-04-13 v2
摘要
本文介绍了为ATLAS像素系统未来升级而设计的新型n-in-p平面像素探测器的性能。n-in-p硅传感器技术因其抗辐射性和成本效益而成为像素升级的有前景的候选方案，这使得扩大像素探测器覆盖面积成为可能。本文展示的n-in-p模块由CiS生产的像素传感器组成，通过倒装焊连接到ATLAS读出芯片FE-I3。这些器件的表征在辐照前后进行，辐照通量高达5 x 10**15 1 MeV neq cm-2。使用放射源进行的电荷收集测量证明了该技术在此粒子通量下的功能性。还讨论了在CERN-SPS上使用120 GeV/c π介子束进行的束流测试数据的初步结果，表明在最大辐照通量下、偏压为1 kV的器件具有(98.6 ± 0.3)%的高跟踪效率和约10 ke的高收集电荷。
引用
@article{arxiv.1112.5395,
title = {Performance of novel silicon n-in-p planar Pixel Sensors},
author = {C. Gallrapp and A. La Rosa and A. Macchiolo and R. Nisius and H. Pernegger and R. H. Richter and P. Weigell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.5395},
year = {2012}
}
备注
Preprint submitted to Nuclear Instruments and Methods A. 7 pages, 13 figures