薄型平面 n-on-p 硅像素在 HL-LHC 辐射通量后的性能
仪器与探测器
2019-09-15 v2 高能物理 - 实验
摘要
ATLAS（大型强子对撞机（LHC）上的实验之一）的跟踪探测器将在 2024—2026 年进行升级，以应对高亮度 LHC（HL-LHC）极具挑战性的环境条件。LPNHE 与 FBK 和 INFN 合作，研制了 130~m 厚的 硅像素传感器，其可承受 HL-LHC 预期的大粒子通量，同时以高速率提供数据并保持优异的击中效率。此类传感器在 CERN-SPS 和 DESY 的辐照前后均进行了束流测试，本文给出了其性能结果。束流测试数据表明，这些探测器适用于未来 ATLAS 跟踪器中计划采用平面传感器的所有层：在通量 下击中效率大于 97%，且模块功耗在限定范围内。此外，在通量 下，击中效率仍高达 88%，电荷收集效率约为 30%。
引用
@article{arxiv.1810.07279,
title = {Performance of Thin Planar \textit{n-on-p} silicon pixels after HL-LHC radiation fluences},
author = {A. Ducourthial and M. Bomben and G. Calderini and R. Camacho and L. D'Eramo and I. Luise and G. Marchiori and M. Boscardin and L. Bosisio and G. Darbo and G. -F. Dalla Betta and G. Giacomini and M. Meschini and A. Messineo and S. Ronchin and N. Zorzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.07279},
year = {2019}
}
备注
24 pages, 14 figures, published version