辐照ams H18 HV-CMOS像素传感器原型的试验束结果
仪器与探测器
2018-02-28 v3
摘要
HV-CMOS像素传感器是LHC上ATLAS实验径迹探测器升级以及其它未来追踪应用的有前景选项，后者需用耐辐射硅像素传感器装备大面积区域。我们呈现了采用ams H18 HV-CMOS工艺制造的第四代电容耦合像素探测器(CCPDv4)的试验束表征结果，这些探测器已被不同粒子（反应堆中子和18 MeV质子）辐照至 到 1-MeV-n/cm 的注量。传感器被粘合到ATLAS FE-I4像素读出芯片，并在CERN SPS H8束线上使用FE-I4束流望远镜进行测量。所有注量下的结果都非常令人鼓舞，在 V 偏置电压下所有击中效率均优于97%。被辐照至 n/cm 注量（升级径迹探测器大部分区域的相关值）的样品展现出99.7%的平均击中效率。这些结果强力证明了HV-CMOS传感器的耐辐射性及其作为实验HL-LHC升级以及高辐射环境中未来大面积硅基追踪探测器传感器的适用性。
引用
@article{arxiv.1611.02669,
title = {Testbeam results of irradiated ams H18 HV-CMOS pixel sensor prototypes},
author = {M. Benoit and S. Braccini and G. Casse and H. Chen and K. Chen and F. A. Di Bello and D. Ferrere and T. Golling and S. Gonzalez-Sevilla and G. Iacobucci and M. Kiehn and F. Lanni and H. Liu and L. Meng and C. Merlassino and A. Miucci and D. Muenstermann and M. Nessi and H. Okawa and I. Peric and M. Rimoldi and B. Ristic and M. Vicente Barrero Pinto and J. Vossebeld and M. Weber and T. Weston and W. Wu and L. Xu and E. Zaffaroni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.02669},
year = {2018}
}
备注
14 pages, 11 figures; revised version