采用高阻衬底的 ams H35 HV-CMOS 电容耦合像素传感器原型的束流测试测量
仪器与探测器
2018-12-04 v3
摘要
在 ATLAS 高亮度 LHC 计划研究的背景下，对 CMOS 技术中耐辐射像素探测器进行了调研。为评估衬底电阻率对 CMOS 传感器性能的影响，采用 ams H35 HV-CMOS 工艺制作了 H35DEMO 演示芯片，其中包含不同的二极管和放大器设计，使用了从 到 四种不同衬底电阻率。开发了一种使用高精度倒装焊机器的胶接工艺，以一层均匀性良好的薄环氧胶将传感器电容耦合到 FE-I4 读出 ASIC 上，覆盖大面积表面。所得组件在费米实验室束流测试设施使用 120 GeV 质子和 CERN SPS H8 束流线使用 80 GeV 介子进行了束流测试。针对不同传感器类型测得的实时效率与追踪特性显示符合 ATLAS ITk 对其像素传感器的要求。
引用
@article{arxiv.1712.08338,
title = {Test beam measurement of ams H35 HV-CMOS capacitively coupled pixel sensor prototypes with high-resistivity substrate},
author = {M. Benoit and S. Braccini and R. Casanova and E. Cavallaro and H. Chen and K. Chen and F. A. Di Bello and D. Ferrere and D. Frizzell and T. Golling and S. Gonzalez-Sevilla and S. Grinstein and G. Iacobucci and M. Kiehn and F. Lanni and H. Liu and J. Metcalfe and L. Meng and C. Merlassino and A. Miucci and D. Muenstermann and M. Nessi and H. Okawa and I. Perić and M. Rimoldi and B. Ristić and D M S Sultan and S. Terzo and M. Vicente Barrero Pinto and E. Vilella Figueras and M. Weber and T. Weston and W. Wu and J. Xie and L. Xu and E. Zaffaroni and M. Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.08338},
year = {2018}
}