Al/p-Si Schottky二极管与pn结的设计、制造与辐射测试
仪器与探测器
2024-07-19 v1 高能物理 - 实验
摘要
条形与像素传感器通常制造于高电阻率硅基片上，p型为主，用于高能物理（HEP）探测器的混合检测装置。此外，凭借其相对于混合传感器的固有优势，采用CMOS技术制造的单晶活性像素传感器（MAPS）在HEP实验中日益受到重视。在所有情况下，用于更高辐射区域（HL-LHC及以后）的应用，都需要改进其辐射硬度和时间分辨率。这些方面要求深入了解其辐射损伤，并提供可靠模型以预测在高 fluence 下的行为。在此第一步中，我们制造了若干Schottky二极管和n-on-p二极管，以允许结果比较，并在6或4英寸p型硅晶片上提供测试器件备选方案（硅片薄膜层为50{\mu}m，掺杂浓度符合HEP探测器和CMOS MAPS设备的常规要求）。本文将提供制造工艺的设计细节与制造过程，以及制造后未辐射设备的测试结果。后续文章将提供辐射后测试结果。
关键词
引用
@article{arxiv.2407.13705,
title = {Design, fabrication and testing of Al/p-Si Schottky and pn junctions for radiation studies},
author = {E. Giulio Villani and Dengfeng Zhang and Adnan Malik and Trevor Vickey and Yebo Chen and Matthew G. Kurth and Peilian Liu and Hongbo Zhu and Thomas Koffas and Christoph Thomas Klein and Robert Vandusen and Rodney Aiton and Angela Mccormick and Garry Tarr},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.13705},
year = {2024}
}