石墨烯-硅异质结光电二极管的电容-电压（C-V）表征
应用物理
2020-02-26 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二维（2D）与三维（3D）材料的异质结构可构成高效器件，以利用这两类材料的特性。石墨烯/硅（G/Si）肖特基二极管的光电特性已被广泛研究。本文提出一种方法，用于分析并联了石墨烯/二氧化硅/硅（GIS）电容器的 G/Si 肖特基二极管的实测电容-电压数据。我们还展示了如何从测量数据中精确提取内建电势（）与肖特基势垒高度，且不受理查逊常数的影响。
引用
@article{arxiv.2002.10763,
title = {Capacitance-Voltage (C-V) Characterization of Graphene-Silicon Heterojunction Photodiodes},
author = {Sarah Riazimehr and Melkamu Belete and Satender Kataria and Olof Engström and Max Christian Lemme},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.10763},
year = {2020}
}