基于 MOS 电容的石墨烯/n-Si 肖特基结太阳能电池电容表征
材料科学
2023-08-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了一种简单而准确的方法来表征嵌入金属-氧化物-半导体（MOS）电容的石墨烯/n-Si 肖特基结太阳能电池（GSSC）的电容。我们测量了两类 GSSC，一类经过热退火处理（w-a），一类未经过（wo-a）。发现 wo-a GSSC 在相位相对于正向偏置电压的关系中表现出两步特征，这可能归因于聚甲基丙烯酸甲酯残留物的存在。通过考虑 MOS 电容（Cmos）及其标准偏差，我们成功获得了肖特基结的电容（CSch），并通过 Mott-Schottky 分析评估了有意义的內建电势（肖特基势垒高度），对于 w-a 和 wo-a GSSC 分别为 0.51V（0.78eV）和 0.47V（0.75eV）。我们还简要讨论了 CSch 与奈奎斯特图和玻德图之间的关系，发现 RC 时间常数由于减去 Cmos 而减小。
引用
@article{arxiv.2304.06320,
title = {Capacitance characterization of Graphene/n-Si Schottky junction solar cell with MOS capacitor},
author = {Masahiro Teraoka and Yuzuki Ono and Hojun Im},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.06320},
year = {2023}
}
备注
16 pages, 8 figures