电容-电压特性的反常标度指数
应用物理
2018-04-05 v1
摘要
电容-电压（CV）测量结合 Mott-Schottky（MS）分析被广泛用于表征材料与器件参数。利用一个简单的解析模型并辅以详细的数值模拟，我们在此预测薄膜器件的电容按 V^-2 标度（V 为外加电势），而非 MS 分析常用的 V^-0.5 依赖关系——这对掺杂密度、内建电压等参数的提取具有重大意义。令人惊讶的是，我们发现所预测的 trends 已隐含于现有文献的多个实例中。因此，我们的结果构成了对半导体器件物理的基础性贡献，并可直接应用于且与有机太阳能电池、钙钛矿基太阳能电池、LED、薄膜 a-Si 器件等广泛的光电器件密切相关。
引用
@article{arxiv.1804.01301,
title = {Anomalous Scaling Exponents of Capacitance-Voltage Characteristics},
author = {Vikas Nandal and Pradeep R. Nair},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.01301},
year = {2018}
}
备注
6 Pages, 4 Figures