基于高注入扫描光动力学显微术测量少数载流子扩散长度
材料科学
2024-10-10 v1
摘要
扫描光动力学显微术（SPCM）广泛用于表征载流子传输特性，特别是半导体中少数载流子的扩散长度。然而，在SPCM中研究轻掺杂或内禀半导体仍具有挑战性。以往方法要求光注入水平较低，这在载流子浓度较低的半导体中难以实现。本文通过有限元仿真显示，少数载流子扩散长度在高光激发条件下也可被量化。该方法不仅适用于掺杂和内禀半导体，还取消了以往实验中必须使用汞化触点这一限制。结果显著扩展了SPCM在广泛半导体材料研究中的应用灵活性。
引用
@article{arxiv.2410.07089,
title = {Measuring Minority Carrier Diffusion Length Using High-Injection Scanning Photocurrent Microscopy},
author = {Xiujun Lian and Hanwei Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.07089},
year = {2024}
}