利用双光子显微技术探测半导体中的少数载流子动力学
介观与纳米尺度物理
2016-12-08 v1
摘要
近期，双光子时间分辨光致发光技术已被应用于各种半导体器件，以测定载流子寿命和表面复合速度。迄今为止，理论建模工作主要局限于该技术常用的单光子对应方法。在此，我们提供了解析解，用于描述低注入条件下双光子显微技术的三维扩散方程。我们聚焦于具有增强复合特性的单一埋入界面系统，并分析了输运、体复合和表面复合如何影响光致发光衰减。我们发现，体测量在短时间由扩散主导，在长时间由体复合主导。当光斑距探测界面的距离小于一个扩散长度时，表面复合会改变体信号。此外，随着光斑尺寸减小分辨率得到提高，但这会使信号对扩散更加敏感。
引用
@article{arxiv.1606.04051,
title = {Minority-carrier dynamics in semiconductors probed by two-photon microscopy},
author = {Benoit Gaury and Paul M. Haney},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.04051},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 4 figures, IEEE PVSC 2016 proceeding paper