通过深度依赖载流子寿命测量解耦硅中的体复合与表面复合特性
材料科学
2021-07-07 v1
摘要
缪子作为材料的体探针，已通过扫描缪子注入深度用于研究硅片中载流子动力学的深度分布。光激发缪子自旋谱技术可在半导体晶圆中光学产生过剩载流子，而缪子可测量过剩载流子密度。由此可获得载流子复合寿命谱。通过将该谱拟合到简单的一维扩散模型，深度依赖寿命谱使我们能够精确测量体载流子寿命与表面复合速度。与其他传统寿命谱技术不同，该方法中体复合与表面复合特性可容易地去卷积。在此，我们应用该技术研究了经过与未经过钝化处理的硅片，并证明该模型能正确描述这两种情形下的载流子动力学。
引用
@article{arxiv.2104.03785,
title = {Decoupling bulk and surface recombination properties in silicon by depth-dependent carrier lifetime measurements},
author = {K. Yokoyama and J. S. Lord and J. Miao and P. Murahari and A. J. Drew},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.03785},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 2 figures