利用低能缪子进行氧化物-半导体界面的缺陷剖析
材料科学
2022-06-03 v1 其他凝聚态物理
摘要
低能缪子缪子自旋旋转（LE{\mu}SR）是一种强大的核方法，可在约 \SI{200}{\nano\meter} 的长度尺度上研究近表面区域与薄膜的电学和磁学性质。本工作中，我们展示了利用低能缪子对氧化物-半导体界面（即硅（Si）与碳化硅（4H-SiC））进行深度分辨表征的潜力。比较了通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）生长以及通过热氧化生长的 SiO-半导体界面的二氧化硅（SiO）， concerning 界面与缺陷形成。缪子的纳米深度分辨率可清晰区分氧化物层与半导体层，同时量化由 Si 与 SiC 氧化引起的结构变化扩展范围。
引用
@article{arxiv.2206.00925,
title = {Defect Profiling of Oxide-Semiconductor Interfaces Using Low-Energy Muons},
author = {Maria Inês Mendes Martins and Piyush Kumar and Judith Woerle and Xiaojie Ni and Ulrike Grossner and Thomas Prokscha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.00925},
year = {2022}
}
备注
The following article has been submitted to Advanced Materials Interfaces