Si-SiO_2 界面结构与能量
材料科学
2009-10-31 v1 统计力学
摘要
硅长期以来都与半导体技术联系在一起。这一独特作用部分源于 Si-SiO_2 界面特性，尤其是用于大多数器件的 (001) 取向界面。尽管硅是晶体而氧化物呈非晶态，但该界面基本上是完美的，极少存在悬垂键或其他电活性缺陷。随着器件尺寸不断减小，硅/氧化物界面在纳米尺度上的结构变得越来越重要。尽管其作用至关重要，但该界面的原子结构仍不清楚。采用一种新型蒙特卡方法，我们确定了界面的低能量结构。所发现的最优结构由 Si-O-Si “桥”以条纹模式排列，能量极低。这一结构解释了几个难以理解的实验观察。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9903424,
title = {Structure and energetics of the Si-SiO_2 interface},
author = {Yuhai Tu and J. Tersoff},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9903424},
year = {2009}
}
备注
LaTex file with 4 figures in GIF format