SiC/SiO2结构中普遍低迁移率的主要原因识别
材料科学
2016-06-13 v1
摘要
具有良好载流子迁移率的材料是器件应用所期望的，但在实际器件中，迁移率通常受到界面和接触的限制。半导体-介质界面处的迁移率退化通常归因于界面或介质内部的缺陷，如Si/SiO2结构中的情况，其中工艺不会在半导体中引入有害缺陷。对于SiC/SiO2结构，十年的研究集中在减少或钝化界面和氧化物缺陷上，但低迁移率问题依然存在。通过引用理论结果和现有实验证据，我们表明热氧化会在半导体衬底内部产生碳双间隙缺陷，并且它们是SiC/SiO2结构中低迁移率的主要原因。
引用
@article{arxiv.1011.2820,
title = {Identification of the major cause of endemically poor mobilities in SiC/SiO2 structures},
author = {Xiao Shen and Sokrates T. Pantelides},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.2820},
year = {2016}
}