缺陷金属-氧化物界面能带排列的第一性原理研究：Al/SiO_2界面的氧点缺陷
材料科学
2016-10-28 v1
摘要
金属-氧化物界面的介电击穿是一种关键的电子器件失效机制。通过介电层的电子隧穿是解释该现象的广为接受的理论。提供隧穿信息的理论能带对齐研究已在文献中针对金属-氧化物界面开展。然而，大多数情况下材料被假定为无缺陷。氧空位在氧化物中非常常见，其对能带排列的影响对于理解真实材料和器件中的电子隧穿至关重要。本工作利用PBE0杂化交换关联泛函，在密度泛函理论框架内探究了Al/SiO2界面处氧单空位和氧双空位对能带排列的影响。研究发现，界面处缺陷的存在及其电荷态会强烈改变能带排列。
引用
@article{arxiv.1610.08550,
title = {First principles study of band line up at defective metal-oxide interface: oxygen point defects at Al/SiO_2 interface},
author = {Eric Tea and Jianqiu Huang and Celine Hin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.08550},
year = {2016}
}