一氧化铅 $\alpha$-PbO：电子性质与点缺陷形成

J. Berashevich; O. Semeniuk; O. Rubel; J. A. Rowlands; A. Reznik

doi:10.1088/0953-8984/25/7/075803

一氧化铅 $\alpha$-PbO：电子性质与点缺陷形成

材料科学 2015-06-11 v2 计算物理

作者: J. Berashevich , O. Semeniuk , O. Rubel , J. A. Rowlands , A. Reznik

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

利用第一性原理计算研究了由单晶 $\alpha$ -PbO 片层网络组成的多晶氧化铅的电子性质，以及 $\alpha$ -PbO 晶格中本征点缺陷的形成。 $\alpha$ -PbO 晶格由耦合层组成，层间相互作用太弱，无法产生高效的层间电荷转移。实际上， $\alpha$ -PbO 的多晶性质导致晶格缺陷以极高的浓度形成，使得缺陷相关的导电性成为层间电荷跃迁的主导因素。我们发现 O 空位的形成能较低，此类空位在零电荷态下被两个电子占据，并倾向于将电子捐赠给 Pb 空位，从而导致两种空位的电离。空位在带隙中引入局域态，可能影响电荷输运。O 空位在价带上方 1.03 eV 处形成缺陷态，可作为电子的深陷阱，而 Pb 空位则在价带上方仅 0.1 eV 处形成空穴的浅陷阱。O 空位的电荷去陷阱效应可以解释 ITO/PbO/Au 结构中实验观测到的暗电流衰减。

关键词

一氧化铅 alpha-PbO 电子性质点缺陷第一性原理计算电荷输运氧空位

引用

@article{arxiv.1210.8405,
  title  = {Lead monoxide $\alpha$-PbO: electronic properties and point defect formation},
  author = {J. Berashevich and O. Semeniuk and O. Rubel and J. A. Rowlands and A. Reznik},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1210.8405},
  year   = {2015}
}

备注

7 pages, 5 figures

一氧化铅 $\alpha$-PbO：电子性质与点缺陷形成

摘要

关键词

引用

备注

相关论文