金属/氧化物界面氧空位的第一性原理热力学研究
材料科学
2016-11-11 v1
摘要
氧空位是金属-超薄氧化物半导体异质结构中的关键本征缺陷，其在界面处的形成对决定器件性能和退化至关重要。本文提出了金属/氧化物界面氧空位的第一性原理热力学研究。针对缺陷界面系统计算了电子能量和熵，作为界面-空位距离的函数。研究表明，靠近界面的氧空位改变了其键合结构，并且与类体相氧空位相比显著改变了系统的热力学性质（即电子能量和熵）。我们阐明，不同因素，包括空位位置对能量和熵的依赖性、温度对熵的依赖性、以及温度和分压对氧化学势的依赖性，在决定氧空位形成吉布斯自由能时都十分重要。
引用
@article{arxiv.1611.03411,
title = {First principle thermodynamic study of oxygen vacancy at metal/oxide interface},
author = {Guanchen Li and Eric Tea and Jianqiu Huang and Celine Hin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.03411},
year = {2016}
}