Vanadium 二氧化物中的氧空位：DFT+V 研究
材料科学
2025-11-11 v1 强关联电子
摘要
我们present了对氧空位影响 vanadium 二氧化物 (VO) 结构和电子性质的密度泛函理论研究。我们的动机是报告的金属-绝缘体相转移被氧空位抑制，以及对其起源缺乏明确共识。我们采用带有静态 Vanadium-Vanadium 相互作用项 的 DFT+V 方法，对计算氧缺失的金属锰锡相和绝缘单斜 M1 相的 VO 属性。我们发现，氧空位导致 M1 相中局部变形，但不会破坏通常与绝缘行为相关的二聚化。尽管如此，我们发现由于类似刚性带掺杂效应导致导带部分填满，M1 相变为金属。
引用
@article{arxiv.2511.07284,
title = {Oxygen vacancies in vanadium dioxide: A DFT$+V$ study},
author = {Oskar Leibnitz and Peter Mlkvik and Nicola A. Spaldin and Claude Ederer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.07284},
year = {2025}
}